求助MDF18N50的参数,mdf18n50场效应管参数

13n50 参数是200V，3A，功率50W。它可以由与参数相同的二极管8N126代替，可供选择的管道有18N50、12N60、20N60等，mdf18n50的换代产品是什么？mdf18N50的场效应管可以换成23N50B和25N50，任何大于等于这个参数的场效应管都可以换。

mdf18N50的场效应晶体管可以用23N50B和25N50代替，任何大于等于参数的场效应晶体管都可以代替。Mdf18N50是一种场效应晶体管(FET)。主要有两种:结型场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管。

后者的内阻肯定比前者高很多，在实际使用中会严重发热，影响设备寿命。Mdf18n50场效应晶体管采用联发科天机800u处理器。这款处理器采用TSMC七纳米制程工艺，支持5G双模全网通功能，跑分仅30万。是入门级的武器双模处理器。此外，这款手机内置4000毫安电池，支持30w快充。13n50 参数是200V，3A，功率50W。它可以由与参数相同的二极管8N126代替。

备选管材为18N50、12N60、20N60等。场效应晶体管最好用原厂型号，同系列也可以(电压电流都比原厂大)，不要换成不同系列。MagnaChip MOS晶体管(N沟道)650V，13A，主要用于开关电源，PFC，大电流快速转换开关。所以只要参数等于或高于13A650V就够了。硅N沟道mos晶体管，可选替换:TK13A 65 USTF 13n 65 dym 13N 65 FQPF 13n 65 PTA 13N 65。

e13007的C极电流为8a，ce耐压为400v，cb耐压为700vD13005mdc电极电流5a，ce耐压400v，cb耐压700v从他们的参数来看，耐压是一样的，但是电流不一样。大电流可以代替小电流，小电流不能代替大电流，所以e13007完全可以代替d13005md，但是d13005md不能代替e13007。