dfp50n06参数

晶体管50n06可以用5n65代替吗？如何更换T50NO6可以换成IKW50N60T和IKW75N60T。在更换国产场效应管的过程中，洪飞国产型号为FHP60N06B 参数更换50N06型号，50N06MOSFET晶体管，目录，参数.数据表(PDF)厂商零件号:50N06类别:MOSFET沟道类型:n最大耗散功率(Pd):120漏源电压(Uds):60栅源电压(Ugs):20最大漏电流(Id):50最大工作温度。

fs50sm5AN沟道功率MOSFET1G2D3S(4D背散热)封装至3P最大功率250W随温度升高而降低；IPFP450N沟道功率MOSFET1G2D3S封装TO247最大功率190W随温度升高而降低；CEP50N06N沟道功率MOSFET1G2D3S封装TO263\TO220最大功率131W随温度升高而降低；以下规格未找到，仅供参考。

ASE50N06 参数描述型号:ASE50N06封装:TO2522L特点:N沟道低压MOS晶体管电气参数:50A60V正向电流(IO): 50A静态漏源导通电阻(RDS(ON)):15mω功耗。:1.2V最大脉冲正向电流ISM:200A零栅压漏电流(IDSS): 1ua工作温度:55~ 175℃引线数:3ASE50N06是一个TO252封装系列。

可以换成IKW50N60T和IKW75N60T。灯管是IGBT的，50A电流，耐压600V V，根据它的电流电压值，大于等于它的话基本可用。在更换国产场效应管的过程中，洪飞国产型号为FHP60N06B 参数更换50N06型号。作为一种N沟道增强型场效应晶体管，采用平面工艺获得抗强浪涌冲击的特性，广泛应用于汽车功放电源、逆变电源、电源开关等抗冲击要求的应用场景。

50N06MOSFET晶体管。目录，参数.数据手册(PDF)制造商零件号:506类别:MOSFET沟道类型:n最大耗散功率(Pd):120漏源电压(Uds):60栅源电压(Ugs):20最大漏电流(ID。