霍尔元件基本参数及磁场分布的测量

目的和要求:(1)了解霍尔Effect-4磁场的原理和方法；(2)观察磁电效应现象；(3)学习霍尔元件测量磁场和元件 参数的基本方法。霍尔 元件磁通量是如何测量的？霍尔 元件摆放方向和位置对霍尔效果测试磁场 霍尔效果测试磁场，/，如何测量霍尔 元件霍尔元件几种好坏测试霍尔，改变磁场Linearity霍尔元件Turn Linearity霍尔元件on的大小，将输出端接电压表，磁铁由远至近逐渐接近Linearity元件，线性霍尔 元件的输出电压由小到大逐渐变化，说明线性霍尔 元件是好的，如果磁铁由远到近逐渐接近线性霍尔。线性霍尔 元件的输出电压保持不变，说明线性霍尔 元件已经损坏。

霍尔效果实验报告包括:实验目的、实验仪器设备、实验的基本思路和原理、实验数据的记录和处理、实验结论和注意事项。目的和要求:(1)了解霍尔Effect-4磁场的原理和方法；(2)观察磁电效应现象；(3)学习霍尔元件测量磁场和元件 参数的基本方法。霍尔感应到磁场垂直于其芯片表面的强度，所以要注意位置要垂直于磁力线方向，这样测量的结果会更准确。

所以要保证电流方向垂直于磁场，否则测得的磁场，只是垂直于电流方向的分量，测量的值很小。解释:在半导体上施加磁场垂直于电流方向，会使半导体中的电子和空穴受到不同方向的洛伦兹力向不同方向聚集，聚集的电子和空穴之间会产生电场。电场力和洛伦兹力平衡后，就不再聚集了。此时电场会使后面的电子和空穴被电场力平衡磁场。

霍尔元件可以是测量 磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。霍尔模块的不等电位是霍尔两个输出电极之间的空载电位可以用额定控制电流作用下的输出电压表示，无需外加磁场。温度补偿法分流电阻法适用于恒流源提供控制电流的情况。b电桥补偿法。霍尔 元件是基于霍尔效应的磁传感器。它们可用于检测磁场及其变化，可用于与磁场相关的各种场合。

1。霍尔系数(又称霍尔常数)RH2。灵敏度KH(又称霍尔产品灵敏度)3。额定励磁电流4。最大允许励磁电流5。输入电阻6。输出电阻7。偏移零点)9。输出电压10。电压输出比11。寄生DC电位12。不等势13。从实际应用来看，电位温度系数主要与1、2、3和9有关。1.霍尔系数(又称霍尔常数)rh2。灵敏度kh(又称霍尔产品灵敏度)3。额定励磁电流4。最大允许励磁电流5。输入电阻6。输出电阻7。温度系数8。势不对等。

霍尔效果测量磁场，只有磁场垂直于电流方向才能测量。所以需要保证电流方向垂直于磁场，否则会测到。霍尔发现如果电流(Iv)施加到位于磁场(B)中的导体(D)上，并且这个磁场的方向垂直于施加电压的方向，那么当电流施加到导体(D)上时，那么电流施加到-2中的导体(D)上。

霍尔 元件几种好坏测试霍尔 元件检测I、线性霍尔-。-1/的质量当线性度霍尔 元件通电后，输出端接电压表，磁铁由远及近逐渐接近线性度霍尔 元件时，线性度。这说明霍尔 元件的线性度是不错的。如果磁体逐渐接近线性度霍尔 元件，则线性度霍尔。

霍尔元件:所谓霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体和半导体中的载流子，产生横向电位差的物理现象。当电流通过金属箔时，如果在垂直于电流的方向上施加磁场，金属箔两侧就会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔中的更明显，而铁磁金属在居里温度以下会表现出非常强的霍尔效应。由于带电导体周围有磁场，其大小与导体中的电流成正比，所以可以用霍尔-1-4磁场来确定导体的电流。

其优点是不与被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的电能，特别适用于大电流传感。扩展资料:霍尔 元件它可以由各种半导体材料制成，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InSP和多层半导体异质结构量子阱材料，常用的半导体材料有N型硅、N型锗、锑化铟、砷化铟以及由砷化铟和磷酸铟按不同比例组成的in型固溶体。