半导体参数表

C33740 半导体三极管参数？半导体材料的特性参数(1)热敏性半导体材料的电阻率与温度密切相关。半导体器件简介及详细资料半导体半导体器件一般来说，利用不同的半导体材料和不同的工艺及几何结构，已经研制出各种不同功能和用途的晶体二极管，晶体二极管的频率覆盖范围可以从低频。

Introduction半导体semiconductor device总的来说，通过使用不同的半导体材料和不同的技术和几何结构，已经开发出了具有不同功能和用途的各种晶体二极管。晶体二极管的频率覆盖范围可以是低频、高频、微波、毫米波、毫米波。三端器件一般是有源器件，典型的是各种晶体管(也称晶体三极管)。晶体管可分为双极晶体管和场效应晶体管。

除了用于放大、振荡和开关的一般晶体管外，还有一些专用晶体管，如光电晶体、磁敏晶体管、场效应传感器等。这些器件不仅可以将一些环境因素的信息转化为电信号，还具有一般晶体管的放大作用，以获得更大的输出信号。此外，还有一些特殊的器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流控制电路，电荷耦合器件可用作橡胶器件或信息存储器件。

高频大功率PNP。DC参数CBO，首席执行官> 80岁。ICBO队5比10。Iceo(mA)0.05至0。C33740是一款低功耗NPN放大器。这个晶体管的型号是BC33740(后面40表示hFE 250~630的尺寸等级，以及16/25等。).n许多制造商生产这种晶体管，如ONS、FAIRCHILD、PHILIPS、KEC、HSMC、SEMTECH、国内蓝箭电子和江苏长江电子。

型号规格GDDP50/75激光波长1064nm激光重复频率20kHz~100kHz激光功率50W/75W打标速度250字符/s最小字符0.3mm重复精度0.0025mm打标范围100mm×100mm(其他范围可选)工作功率220V/50Hz/15A冷却方式水冷。

半导体diode参数Symbol释义CT势垒电容Cj结(极间)电容，它表示锗探测器二极管的总电容Cjv偏压结电容Co零偏压结电容Cjo零偏压结电容Cjo/Cjn结电容变化Cs管壳电容或封装电容Ct总电容CTV电压在二极管两端规定的偏压下，在试验电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比，CTC电容器的温度系数Cvn，电容器的标称DC电流IF(正向试验电流)。

(1)热敏性半导体材料的电阻率与温度密切相关。随着温度的升高，-0/的电阻率会明显降低。例如，温度每升高10度，纯锗(ge)的电阻率就会降低一半。(2)光电特性多半导体该材料对光非常敏感，无光时不易导电；当暴露在光线下时，导电变得容易。比如常用的硫化镉半导体光敏电阻，没有光的时候电阻高达几十兆欧，有光的时候会降低到几十千欧。

利用光电导特性制成的光电器件包括光电二极管和光电晶体管。近年来，一种半导体发光器件——发光二极管得到了广泛的应用，它可以在通过电流时发光，直接将电能转化为光能，目前已经制造出黄、绿、红、蓝四种颜色的发光二极管，以及发射不可见红外线的发光二极管。另一种常见的光电转换器件是硅光电池，它可以直接将光能转化为电能，是一种方便、清洁的能源，(3)具有纯掺杂特性的半导体材料具有较高的电阻率，但掺杂极少量的“杂质”元素后，其电导率会发生显著变化。