1n5819参数,b5819w和1n5819

1n5819肖特基二极管，一个系列，电流值相同，电压in5819高于1n5818，1n5818可以换成1n5819。二极管1n5818可以换成1n5819两者有什么区别吗？1n5818，如果对安装的电路板要求不是很精密和灵敏，1N5149可以代替1N58181N5819，VF可能比1N5818略高0.05VVR，两者都是1A功率1N5818VR>30VVF40VVF。

常用肖特基二极管型号:常用的有引线肖特基二极管有D80004、B82004、MBR1545、MBR2535等型号:mbrctmbrctmbrctmbr 30050 ctmbr 40050 ctmbr 50050 ctmbr 60050 CT肖特基二极管是一种低功耗、大电流、超高速的半导体器件。它的反向恢复时间非常短(小到几纳秒)，正向导通压降只有0.4V左右，而整流电流可以达到几千毫安。

中小功率肖特基整流二极管大多是封装的。扩展数据肖特基二极管(SBD)是SchottkyBarrierDiode (SBD)的缩写，这是一种以其发明者肖特基博士命名的半导体器件。肖特基二极管是一种低功耗、大电流、超高速的半导体器件。它不是由P型半导体和N型半导体接触形成PN结的原理制成，而是由金属和半导体接触形成金属-半导体结的原理制成。

diode IN5819为肖特基二极管封装:DO41正向平均电流:1A反向峰值电压:40V反向漏电流:1mA正向压降:0.6V正向非重复峰值电流(浪涌电流):30A结(极间)电容:55PF。它是一种低功耗超高速半导体器件，广泛应用于高频用开关电源、变频器、驱动器等电路中。

一般这种二极管最后一个字母表示耐压，不一样。前者应该大于后者，1N5819R 参数我没找到，只看到一个1N5819供参考。1N5819是一个肖特基二极管。其反向耐压为40V，额定正向电流为1A。可以用指数更高的肖特基二极管代替，如1N5822(40V/3A)、MBR150(50V/1A)、MBR160(60V/1A)。

参数二极管类型:高频小信号电流:正常正向电流If:150ma；；最大正向电流Imax:300ma；；最大重复峰值电流Ifs:450mA电压:最大重复峰值电压umax:100v；最大持续反向电压Urrm:75V；；最大1N4148扩展数据:高频低压大电流的特性是1N5819二极管与普通二极管的区别。广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中作高频、低压、大电流整流、续流和保护二极管。

1n5818，1n5819肖特基二极管，一个系列，两者电流值相同，in5819的电压高于1n5818。使用1n5819替换1n5818，如果对安装的电路板要求不是很精密灵敏，1N5149可以代替1N58181N5819的VF，可能比1N5818略高0.05VVR，两者都是1A电源1N5818VR>30VVF40VVF。