igbt 驱动原理

那么ipm和igbt 原理IGBT都是功率元件。igbt 驱动板的典型IGBT驱动板的电路原理下图为DA962Dx系列原理图，参考下图，可以设计IGBT 驱动300A/1700V，市面上功能齐全的IGBT 驱动板增加了更多的保护、指示等附加功能。

IGBT变成绝缘栅场效应晶体管GTO，栅极可以关断晶闸管GTR巨晶闸管MOSFET。如果用王兆安的第五版，书中的结论如下:1。GTO的驱动电路可分为脉冲变压器耦合和直接耦合。直接耦合应用广泛，但功耗大，效率低。给出的例子是its 驱动特点:一次N1到二次N2有两种导通:正向:C3放电R1V1(触发导通)l触发GTOC1放电R2V2LGTO反向关断:C4放电关断GTO门LV3，其余三种方法类似...2GTR:图分为电气隔离和晶体管放大电路两部分。晶体管的控制触发电路3主要由光耦控制。3MOSFET和IGBT都是电压驱动器件，要求驱动电路具有小的输出电阻。

IGBT(绝缘双极晶体管)，绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合型全控压/功率半导体器件，既有MOSFET输入阻抗高的优点，又有GTR导通压降低的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动的电流较大。MOSFET 驱动功耗低，开关速度快，但导通压降大，载流密度低。

非常适用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。输出特性和转移特性:IGBT的伏安特性是指以栅压VGE为参数变量时，集电极电流IC和集电极电压VCE的关系曲线。IGBT的伏安特性类似于BJT的输出特性，也可以分为三个部分:饱和区I、放大区II和击穿区III。作为开关器件，IGBT稳态时主要工作在饱和导通区。

PWM控制器输出的是控制电平信号。一般来说，这种信号不用于直接控制IGBT，因为控制和IGBT需要被隔离。这时候就需要一个IGBT 驱动来完成这个功能，并且根据IGBT的特点进行功率放大，IGBT正负电压通断，还有一些保护。当pwm为高电平时，igbt开启，当pwm为低电平时，igbt关闭。分别用on和off给下面的电感和电容充电，使电压降低或升高。

1。该模块集成了驱动电路，即图中的预驱动器，三个上桥臂和三个下桥臂共用一个。准确的说，这个模块应该是IPM模块，而不是IGBT模块。它们的区别在于驱动电路是否集成。2.驱动顾名思义，该电路为驱动IGBT:它将输入的PWM信号转换成可以开启和关闭IGBT的电平标准；Make 驱动电流足够开启和关闭IGBT(尤其是IGBT冰量大的时候)；

igbt是栅极，可以通过栅极端子的电压来控制。当栅极端子比发射电极高15v时，栅极将被打开。如果单相有四个门，如果同时打开左上角和右下角的开关，电流就会正向流过负载，另外两个就会反向打开。正负交替就变成了方波。下面两个管的发射端连在一起，只需要一个15v 驱动电源。以上两个灯管的发射端随负载变化，每个灯管需要15v 驱动电源。

IGBT没有P通道，所以不可能是准互补的。想做的话可以做准互补。我看过IGBT的伏安特性。IGBT管有一个放大区，这意味着它可以用作功率放大器，但由于没有P通道配对，它只能用作变压器推挽电路或甲类电路。这是一个典型的图腾场效应晶体管驱动电路。由于场效应晶体管(类似于IGBT)的栅极电容较大(数千pf)，在栅极加脉冲时，如果驱动电路电流不足，可能会影响上升和下降时间，即晶体管的导通和关断时间，使晶体管在关断到导通和导通到关断的转换过程中功率损耗增加。

IGBT是力量元素。IPM是将IGBT功率管和驱动IGBT门驱动芯片封装到一个模块中。所以是包含与被包含的关系。目前国内基本没有gate 驱动 chip和IGBT的成熟产品。虽然IPM是目前的热点，很多公司和学校都想做，但是由于国内产业链的限制(驱动 chip和IGBT只是外包)，真的做不了什么。目前国内有些人想做的就是买国外的芯片自己封装。

IPM(IntelligentPowerModule)即智能功率模块，不仅集成了功率开关器件与驱动电路。还包含过压、过流、过热等故障检测电路，并能向CPU发送检测信号。它由高速低功耗芯片、优化的门电路和快速保护电路组成。即使出现负载事故或使用不当，也能保证IPM本身不受损坏。IPM一般采用IGBT作为功率开关元件，内含电流传感器和驱动电路的集成结构。

下图为DA962Dx系列原理。参考下图，可以设计IGBT 驱动300A/1700V，市面上可以买到功能齐全的IGBT 驱动板，下图为DA102Dx系列原理图。参考下图，可以设计IGBT 驱动2400A/1700V。